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商品の説明

トランジスタタイプ = PNP
最大DCコレクタ電流 = 5.1 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V
パッケージタイプ = UPAK
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 2.1 W
最小DC電流ゲイン = 100
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 130 MHz
ピン数 = 4
1チップ当たりのエレメント数 = 1
動作温度 Max = +150 °C

低飽和電圧 PNP トランジスタ. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。

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